最佳性能奖：Samsung DDR400 256MB
| 参测产品： |
   编辑选择奖：Kingston DDR333 256MB/Paccom DDR333 512MB/Twinmos DDR266 256MB | | 得到了Intel和VIA的支持，双通道DDR有望在今年成为主流。 除了双通道技术，要获得双倍带宽，QBM技术也是一种办法。 
从技术的角度来看，DDR和RDRAM都采用了双信号触发沿数据传输技术，不同的是QBM在一条内存中内置了双通道模块，通过信号相位偏移和寄存器模块实现了2倍于DDR的传输速度（和双通道DDR一致）。由于QBM内存的设计仅需在内存上增加寄存器模块，而主板无需大规模更改布线，因此内存的成本能够得到很好的控制，其成本理论上同DDR内存差不多。 目前影响QBM内存最大的因素是主板芯片厂家的支持，因为尽管QBM内存不需要对主板设计作太大的改动，但是确实需要主板芯片组的支持，为此，必须要有主板厂家为它设计新的芯片组，目前，尽管ATI、SIS和Ali、Micron等公司都表示了对这种技术的浓厚兴趣，但仅仅有威盛明确表示将会推出相应的芯片组，在明年初发布的P4X800芯片组中提供正式的支持。但要考虑到威盛今年的风头已经大大不如往年了，光有它一家的支持，QBM内存并成不了气候。 
不过幸亏QBM是一个使用范围很广的技术，并不仅仅局限于主内存上，在显存，网络设备上的数据缓存甚至竞争对手Rambus产品上，都可以通过这种技术提高内存带宽。目前ATI和nVIDIA正在研究QBM内存应用在显卡上的可行性，而ATI则更提出了未来使用QBM内存显示卡的具体计划。所以总体说来，QBM内存的前景还是非常广阔的。 说到DDRII，似乎还有些雾里看花的感觉。 从JEDEC组织者阐述的DDR-II标准来看，DDR-II内存模块将采用0.13微米制程，容量为18MB/36MB/72MB，最大288MB，字节架构为X8、X18、X36，读取反应时间为2.5个时钟周期。通过将延时锁定回路设计到内存中，输出的数据效率提升65%左右， 。在200MHz外频下工作，将会达到4.8GB/s内存频宽。DDRII同时适用于系统主存和显卡，目前已知的系统内存模块包括400MHz(3.2GB/s)、533MHz(4.3GB/s)、667MHz(5.4GB/s)三种规格，DDRII显存则有800MHz、1000MHz两种，可采用200pin、220pin或240pin的FBGA封装。DDR-II内存的工作电压为1.8V，单条容量至少有512MB。 
Elpida的DDR II样板 
三星的DDR II样板 三星、Elpida和美光都先后公布了它们的DDRII内存模块，而显卡方面GeForceFX 5800 Ultra已经为率先使用1000MHz DDRII显存。DDRII将使内存频率提升到前所未有的高度，相信DDRII正式登台之际，内存的发展将迈向一个崭新的台阶。
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