 | | 评测目的：Intel对DDR2内存的鼎力支持与AMD下半年向DDR II阵营的全面倒戈，都使得DDR II内存成为全球PC内存市场的绝对主力大军！太平洋评测室本次大规模云集了几乎市面上所有品牌的DDRII 667产品，旨在为消费者购买DDRII 667内存产品提供非常有价值的参考依据。 | | 文章内容导航： | |
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| 参评产品：（以下产品按字母先后顺序排列，与品牌知名度及性能无关） | | 前言：自从2004年6月Intel发布915/925系列产品以来，DDR2内存就正式进入到广大消费者的视野。经过两年多的市场运作和国际DRAM芯片产能的增加，DDRII的价格已经进入到了成熟期，其实DDRII内存已经比DDR内存更为廉价。另外，AMD下半年全面转型至采用DDRII内存的AM2平台，如此一来业界两大巨头Intel与AMD全面支持DDR2的事实预示着DDR2一统江湖的日子已经不远。 
2006年度DDR II 667参评产品
从上市初期的DDRII 533到现在主流的DDRII 667，内存频率也随着技术的提升与需求的加大而一路飙升。DDRII 667与DDRII 533的微差价令到DDRII 533开始逐渐要淡出市场。本年我们可以看到各内存厂商都全面吹起了DDRII的号角，各具特色的DDRII产品与铺天盖地的宣传令到消费者在选购DDRII内存时造成了一定的困惑。太平洋评测室本次大规模云集了几乎市面上所有品牌的DDRII 667产品，为大家送上精彩、权威的主流平台所选用的DDRII 667内存的年度测试报告！ DDR II技术回顾 DDRII内存能有如此之多的技术革新，归功于研究人员们多年的研究。其实早在1998年JEDEC（电子工程设计发展联合协会）就开始着手研究DDRII技术，2003年就通过了JEDEC规格标准化，不过大规模登录市场还是从去年开始，这是为什么呢？在Intel推出 915/925芯片组之前（如图1），DDRII与DDR400相比，除了在技术性能上更加优秀外，无论是实用性还是性价比都没有优势可言。在大多数FSB为800MHz的Intel Pentium 4处理器面前，双通道模式下的DDR400所提供的6.4GB/S的带宽就已经能满足要求，而DDR2上市之初的价格也无法与DDR相抗衡，所以无论从性能需求还是从性价比去考虑，DDR2在上市好一段时间内都是在低市场份额情况下徘徊。 DDR2是由JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council，电子元件工业联合会）定义的全新一代内存技术规范标准。首先我们要知道DDR2 SDRAM依然属于DDR范畴，也就是在时钟信号的上升沿与下降沿传输数据。DDR2内存起始频率从DDR内存最高标准频率400Mhz开始，现已定义可以生产的频率支持到533Mhz到667Mhz,标准工作频率工作频率分别是200/266/333MHz，对应的DDR II模组命名则几乎是延续了DDR内存模组的：PC2-3200、PC2-4300和PC2-5300。工作电压为1.8V。DDR2采用全新定义的240 PIN DIMM接口标准，完全不兼容于现有DDR的184PIN DIMM接口标准。 | Feature/Option | DDR | DDR2 | DDR2相对技术优势 | | Package内存芯片封装 | TSOP and FBGA | FBGA | FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array：细间距球栅阵列）封装提供了更好的电气性能与散热性 | | Voltage电压 | 2.5V | 1.8V | DDR2 SDRAM仅为1.8V的工作电压可以大幅降低内存的功耗，以及减少发热量 | | Densities 内存芯片规格 | 64Mb–1Gb | 256Mb–4Gb | 更高的单条内存容量在需要大容量内存的平台上更具成本优势 | | memory subsystems Internal Banks | 4 | 4 and 8 | 1G或1G以上容量的内存将使用8
banks技术，提高内存性能 | | Data Transfer Rate 运行频率 | 200 MHz
266 MHz
333 MHz
400 MHz | 400 MHz
533 MHz
667 MHz
800 MHz | 速度大幅度提高到800MHz以上 | | 内存带宽 | 双通道DDR2667提供高达10.6GB/s的带宽 | 6.4GB/s (双通道DDR400) | 更高的内存性能 | | Modules模组 | 184-pin DIMM 200-pin SODIMM
172-pin MicroDIMM | 240-pin DIMM 200-pin SODIMM 214-pin MicroDIMM | 改良的PCB线路与供电设计 | 革命性的4bit预读取能力、ODT和Post CAS技术。 | | CAS Latency延迟时间 | 2 2.5 3 clocks | CL+AL CL = 3 4 5clocks
| 在一个前置CAS作业中，一个CAS讯号(读/写命令)可以在RAS讯号输入之后成为下一个时脉的输入。该CAS指令可以在DRAM一侧保持，并在附加的延迟(0、1、2、3和4)之后执行。简化了控制器设计，避免指令通道上的冲突。从而带来性能的提高 | | 终结电阻ODT | 主板控制 | DDR2 SDRAM使用ODT (On-Die Termination)设计，内建终结电阻。 | 在每一个芯片上终止内存信号来增强内存质量与完整性。这样可以取消主板上用于减少信号反射的终结电阻器，简化了主板设计，降低设计制造成本。 | | Prefetch（预读取） | 2 | 4 | 在同一核心频率时，获得两倍DDR的带宽 | 作为DDR内存新一代技术革新的产物，DDR II具有4bit预读取能力、实现更高的运行频率与系统带宽，更低的功耗与发热量、更大容量的封装与全新的OCD、ODT和Post CAS技术。
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