DDR II技术浅析： DDR2是由JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council，电子元件工业联合会）定义的全新一代内存技术规范标准。首先我们要知道DDR2 SDRAM依然属于DDR范畴，也就是在时钟信号的上升沿与下降沿传输数据。DDR2内存起始频率从DDR内存最高标准频率400Mhz开始，现已定义可以生产的频率支持到533Mhz到667Mhz,标准工作频率工作频率分别是200/266/333MHz，对应的DDR II模组命名则几乎是延续了DDR内存模组的：PC2-3200、PC2-4300和PC2-5300。工作电压为1.8V。DDR2采用全新定义的240 PIN DIMM接口标准，完全不兼容于现有DDR的184PIN DIMM接口标准。 相对于上一代标准DDR技术，我们先用一个表格来比较一下DDR II技术优势，同时在表格之后我们会有详细的技术说明： | Feature/Option | DDR | DDR2 | DDR2相对技术优势 | | Package内存芯片封装 | TSOP and FBGA | FBGA | FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array：细间距球栅阵列）封装提供了更好的电气性能与散热性 | | Voltage电压 | 2.5V | 1.8V | DDR2 SDRAM仅为1.8V的工作电压可以大幅降低内存的功耗，以及减少发热量 | | Densities 内存芯片规格 | 64Mb–1Gb | 256Mb–4Gb | 更高的单条内存容量在需要大容量内存的平台上更具成本优势 | | memory subsystems Internal Banks | 4 | 4 and 8 | 1G或1G以上容量的内存将使用8
banks技术，提高内存性能 | | Data Transfer Rate 运行频率 | 200 MHz
266 MHz
333 MHz
400 MHz | 400 MHz
533 MHz
667 MHz
800 MHz | 速度大幅度提高到800MHz以上 | | 内存带宽 | 双通道DDR2667提供高达10.6GB/s的带宽 | 6.4GB/s (双通道DDR400) | 更高的内存性能 | | Modules模组 | 184-pin DIMM 200-pin SODIMM
172-pin MicroDIMM | 240-pin DIMM 200-pin SODIMM 214-pin MicroDIMM | 改良的PCB线路与供电设计 | 革命性的4bit预读取能力、ODT和Post CAS技术。 | | CAS Latency延迟时间 | 2 2.5 3 clocks | CL+AL CL = 3 4 5clocks
| 在一个前置CAS作业中，一个CAS讯号(读/写命令)可以在RAS讯号输入之后成为下一个时脉的输入。该CAS指令可以在DRAM一侧保持，并在附加的延迟(0、1、2、3和4)之后执行。简化了控制器设计，避免指令通道上的冲突。从而带来性能的提高 | | 终结电阻ODT | 主板控制 | DDR2 SDRAM使用ODT (On-Die Termination)设计，内建终结电阻。 | 在每一个芯片上终止内存信号来增强内存质量与完整性。这样可以取消主板上用于减少信号反射的终结电阻器，简化了主板设计，降低设计制造成本。 | | Prefetch（预读取） | 2 | 4 | 在同一核心频率时，获得两倍DDR的带宽 |
作为DDR内存新一代技术革新的产物，DDR II具有4bit预读取能力、实现更高的运行频率与系统带宽，更低的功耗与发热量、更大容量的封装与全新的OCD、ODT和Post CAS技术。 DDR II的关键技术--4bit Prefetch（预读取）：在同一核心频率时，获得两倍DDR的带宽。 在内存内部结构中，内存颗粒内部单元我们称之为Cell，它是由一组Memory Cell Array构成，也就是内存单元队列。我们看到内存颗粒的频率分成三种，一种是DRAM核心频率，一种是时钟频率，还有一种是数据传输率，平时我们说的内存速度就是指数据传输率。在SDRAM中，SDRAM也就是同步DRAM，它的数据传输率是和时钟周期同步的，SDRAM的DRAM核心频率和时钟频率以及数据传输率都一样。以PC-100 SDRAM为例，它的核心频率/时钟频率/数据传输率分别是100MHz/100MHz/100Mbps。 
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